PVD 是物理气相淀积，指通过物理手段（电、磁、重力），令气体中的特定成分淀积在晶圆表面，形成薄膜。磁控溅射是PVD 的一种，属于比较老的薄膜生长技术之一，优点是成本较低，可以生长的薄膜种类多，缺点是薄膜一致性较差，台阶覆盖不好，强度较低。

CVD 是化学气相淀积，指令气体在晶圆表面发生化学反应，反应产物附着在晶圆表面形成薄膜。典型的如四氢化硅气体与氨气反应淀积氮化硅。另外氧气（以及水蒸气）与晶圆本身反应生长氧化硅层一般单独分类为氧化，不属于CVD。优点是薄膜一致性好，缺点是受到反应气体种类限制，不是所有的薄膜都能生长。

其他的薄膜生长工艺还有氧化、电镀、外延、键合等。各有各的适用范围。

离子注入和上面的根本不是一回事。

离子注入不是用来生长薄膜的，而是用来进行半导体掺杂的。通过加速电离的杂质离子，将其注入晶圆内部。然后在进行退火激活，让杂质离子取代硅原子的晶格位置，形成掺杂能级，得到N型和P型半导体。
与离子注入相对的工艺是扩散工艺，扩散工艺不主动注入杂质粒子，而是通过浓度梯度让杂质自然扩散到晶圆内部。

两者相比注入工艺的精度远高于扩散（扩散工艺的横向扩散比离子注入差得多），不过粒子注入会形成更多的晶格损伤和缺陷态。

最后，这些都是半导体工艺，液晶面板工艺和半导体工艺没关系。